高考网 > 高考动态 >

南京理工大学泰州科技学院斩获首届GaNFast(tm);氮化镓(GaN)半导体功率IC应用设计大赛冠军

2020-02-26 15:57:34

2019年12月21日,由 Navitas 纳微半导体发起,21Dianyuan 共同举办的首届GaNFast™氮化镓 (GaN) 半导体功率 IC 应用设计大赛中,我校电源技术行业学院16级学生高平稳同学荣获65W PD方案组冠军——“开源创新奖”,获得奖金40,000元。电源技术行业学院在赛中获得业界各方褒奖和祝贺。

南京理工大学泰州科技学院学子斩获首届GaNFast™氮化镓 (GaN) 半导体功率 IC 应用设计大赛冠军

Naitas 纳微半导体中国区总经理查莹杰先生为我校高平稳同学(图右)颁奖

南京理工大学泰州科技学院电源技术行业学院自创办以来,在学校领导的支持下,在教务处和移动互联网学院的帮助下,李宇老师带领电源技术行业学院团队不断完善和成熟人才培养流程,从电路的理论分析到仿真模拟,再到画PCB板调电路,不断向电源行业输送优秀电源人才,帮助近百位学生进入国际知名电源公司,如光宝、全汉、TDK等;在电源行业内参加各类比赛名列前茅。

 南京理工大学泰州科技学院学子斩获首届GaNFast™氮化镓 (GaN) 半导体功率 IC 应用设计大赛冠军2

热门推荐
猜你喜欢
推荐阅读